高純金屬濺射靶材在晶圓制造和先進封裝過程有哪些用途

高純金屬濺射靶材雖然體量雖小，但是核心技術卻是非常先進，而且很多國家目前依然無法造成高純金屬濺射靶材。在高端金屬濺射靶材生產上一直被幾個大公司占據著市場領導地位。目前在很多高端晶圓制造和先進封裝過程中需要使用大量的高純金屬濺射靶材，那么這些高純金屬濺射靶材在晶圓制造和先進封裝過程有哪些用途呢？

高純金屬濺射靶材主要應用在晶圓制造和先進封裝過程，以芯片制造為例，我們可以看到從一個硅片變成一個芯片需要經歷7大生產過程，分別是擴散,光刻,刻蝕、離子注入，薄膜生長、化學機械拋光，金屬化，每個環節需要用到的高純金屬濺射靶材，高純金屬濺射靶材和工藝一一對應。濺射靶材就是被用在金屬化的過程中，通過薄膜沉積設備使用高能的粒子轟擊靶材然后在硅片上形成特定功能的金屬層，例如導電層，阻擋層等。

濺射靶材產業鏈基本呈金字塔型分布。產業鏈主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應用等環節。終端應用環節是整個產業鏈中規模最大的領域，包括半導體芯片、平板顯示器、太陽能電池等領域。原材料純度是影響薄膜材料性能的關鍵因素，高純金屬原材料是靶材生產制造的基礎。

高純金屬濺射靶材在高純金屬提純分為化學提純和物理提純，在實際應用中，通常使用多種物理、化學手段聯合提純實現高純材料的制備。許多國家雖然擁有豐富的有色金屬礦產資源，但高純金屬制備技術仍存在一定差距，高純金屬有較大比重需從國外進口。